ФГБОУ ВО "Брянский государственный технический университет"
Разработка и серийное освоение 3D и планарной технологии производства карбидкремниевых полупроводниковых приборов
В результате выполнения работ по комплексному проекту были созданы карбидкремниевая планарная технология производства мощных высоковольтных карбидкремниевых диодов Шоттки и карбидкремниевая 3D технология производства мощных высоковольтных карбидкремниевых МОП - транзисторов.
В результате выполнения работ по комплексному проекту были созданы карбидкремниевая планарная технология производства мощных высоковольтных карбидкремниевых диодов Шоттки и карбидкремниевая 3D технология производства мощных высоковольтных карбидкремниевых МОП - транзисторов.
Мощные высоковольтные карбидкремниевые приборы, изготовленные по разработанным 2D SiC и 3D SiC технологиям, имеют электрические параметры, не уступающие мировым аналогам. Результаты выполнения ОТР1 и ОТР2 позволили провести технологическую подготовку для серийного производства карбидкремниевых приборов.